收藏本站
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8
0.172
(4.369)
0.028
(0.711)
0.022
(0.559)
0.050
(1.270)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
www.vishay.com
22
Document Number: 72606
Revision: 21-Jan-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4894BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
SI4904DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
SI4908DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC
SI4914BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
SI4914DY-T1-E3 MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SI4916DY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SI4920DY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SI4932DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4892DY 功能描述:MOSFET 30V 12.4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4892DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 12.4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4892DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 12.4A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4892DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 12.4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4892DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12.4A 3.1W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4894BDY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
SI4894BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12V 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4894BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube